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dcdc降压电路辐射超标怎么解决
电路板用了一个dcdc降压电路，输出端接了一条30cm的连接线到显示屏，辐射测试在50-90m附近超标大概50db。
把显示屏去掉，辐射还是超标；把线去掉，辐射降低，但仍有30多个db的幅度，应该是dcdc电路和连接线引起的辐射超标。
尝试解决方法：
1、在dcdc输出端增加0.1uf和0.01uf电容滤波，效果不大
2、连接线绕上磁环，可以降低4个db。
请教下，不加磁环的情况下，光从电路上改善怎么解决辐射超标的问题？
AIC2857FGR8TR，AME5268-AZAADJ，AME5269-AHAADJ，APW7301KAI-TRG，AX3484ESA，BL9384B，AP2952S8RG，AP2952AS8PRG，AP6503SP-13，EUP3482ADIR1，FP6188XR-G1，FP6193XR-G1，LSP5503L-R8A，LSP5526，LSP5502SAC，MP2307DN-LF-Z，MP2303ADN-LF-Z，MP2403DN-LF-Z，RT7257ENZSP，RT7257BHZSP，RT8295AHGSP(Z00)，
RT8296BHGSP(Z00)，RT8284NGS，RT8292AHZSP，BD9329AEFJ-E2，TD1484A，TD2786MR，TD1529PR。
MP2307,MP2363,MP 2365, MP1583, MP1593, MP1482, MP1410, MP1484, MP2403, MP2303, MP2309, MP1423,MP1410,MP9141,MP1430。
KIS-3R33模块 MP2307
•在自举电路上增加串联电阻
开关切换波形的上升时间取决于上桥MOSFET Q1的导通速度。Q1是受浮动驱动器驱动的，该驱动器的供电来自于自举电容Cboot。在集成化的Buck转换器中，Cboot由内部的稳压器进行供电，其电压通常为4V~5V。见图7左侧。
•通过降低上桥MOSFET开关的导通速度可使Buck转换器开关波形和电流脉冲的上升时间增加，这可通过给Cboot增加一只串联电阻Rboot来实现，如图7所示。Rboot的取值与上桥MOSFET的尺寸有关，对于大多数应用来说，5~10Ω就足够了。对于较小的MOSFET，它们具有较高的Rdson，较大的Rboot值是容许的。在高占空比的应用中，太大的Rboot值可能导致Cboot充电不足，甚至可能导致电流检测电路的不稳定。另外，较低的MOSFET导通速度也将增加开关损耗，从而导致效率的下降。
•在MOSFET外置的设计中，电阻可被串接到上桥MOSFET的栅极上，这就可以同时增加上桥的导通时间和截止时间。
•当上桥MOSFET Q1被关断的时候，电感电流会对Q1的寄生输出电容进行充电，同时对Q2的寄生输出电容进行放电，直至开关切换节点电位变得低于地电位并使Q2的体二极管导通。因此，下降时间基本上是由电感峰值电流和开关节点上的总寄生电容所决定的。
更多降低EMI的方法展示在图35所示的原理图中：1. 高频磁珠HF bead1与C1一起形成了一个LC滤波器，可对Buck转换器的输入电流进行平滑处理。
2. R5和磁珠HF bead2形成一个能对IC内部的开关切换路径上的谐振形成抑制的环节。HF bead2需要很小，一个可选的型号是Murata的BLM15PG100SN1。由于这个环节的加入，IC的VIN端可能出现电压的毛刺，这是需要进行检视的一个地方。如果发现毛刺的幅度太高，R5就应该被减小。
3. 电阻Rboot的加入可以降低上桥开关导通的速度，因而可以增加开关波形的上升时间，但这也同时增加了开关切换的损耗。
4. Rsnubber和Csnubber形成的平滑电路能抑制开关波形上的正向振铃过程，但它们的加入也会造成损耗的增加。
5. 加入R7可以降低流过D1的高频电流尖峰，但是这个电阻千万不能太大了，它会降低对Cboot的充电电流。
6. HF beed3和C6形成一个输出端的LC滤波器，需要注意的是HF bead3的加入会使转换器的负载调整特性和负载阶跃响应特性变差。图40显示了一个PCB布局的样板。在该布局中，所有的大电流元件都被放置在IC的一侧，小信号元件则被放置在IC的另一侧。中间部位是大电流的信号地，它们与IC的散热焊盘形成低阻抗的连接，这里也正是IC的功率地。这个部分通过大量的导通孔和地线层连接起来，一是起到降低接地阻抗的作用，二是作为热量的传递通道将IC消耗形成的热量传播出去。
