场效应管（MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种电压控制型半导体器件。与三极管不同，MOSFET通过栅极（Gate）电压来控制漏极（Drain）和源极（Source）之间的导通程度，具有极高的输入阻抗（可达10^12Ω以上），几乎不需要输入电流。MOSFET分为N沟道和P沟道两种增强型器件，需要栅极电压超过开启电压Vgs(th)才能导通。MOSFET的开关速度快、导通电阻低（毫欧级），使其成为电源开关和电机驱动电路的理想选择。在DC-DC转换器、电机驱动、电源管理系统和信号切换电路中，MOSFET已经取代了三极管成为主流的功率开关器件。
