第101讲. Basic Solid-State Physics- Energy bands, Electrons and Holes
第102讲. Basic Solid-State Physics- Doping, Carrier Density, Distributions
第103讲. Carrier Movement in Semiconductors, Drift and Diffusion
第104讲. PN Junction, Depletion Region, Diode Equation
第105讲. PN Junction, Junction Capacitance, Doping Profile
第106讲. Bipolar Junction Transistor, basic operation, current flow propertie
第107讲. Bipolar transistor- Early effect, Ebers-Moll model, large-signal T-
第108讲. MOS Capacitor- Energy band diagram, accumulation, depletion, and inv
第109讲. MOSFET Introduction, threshold and body effect, IV characteristic in
第110讲. MOSFET IV Characteristics Derivation, Regions of Operation, Channel
第111讲. MOSFET Channel charge in pinch-off, Channel capacitance calculations
第112讲. Velocity saturated MOSFETs, short channel effects, SOI, FinFET, Pill
第115讲:小信号模型,MOS与BJT,核心晶体管行为,跨导
第116讲:小信号模型,MOS与BJT,输入和输出电阻,电容,截止
第119讲:放大器基础、MOS、BJT和ATD(任意3端器件)、最大增益(第1部分)
第120讲:放大器基础、MOS、BJT和ATD(任意3端子器件)、最大增益(第2部分)
第121讲:BJT放大器、发射极退化、传输特性和增益(第1部分)
第122讲:BJT放大器、发射极退化、传输特性和增益(第2部分)
第123讲:MOS放大器级:源极退化、输入和输出阻抗(第1部分)
第124讲:MOS放大器级:源极退化、输入和输出阻抗(第2部分)
第125讲:两个晶体管级:级联、折叠级联、有源负载、达林顿、电流镜
第126讲:差分信号和差分对:核心概念和大信号行为(BJT)
第127讲:差分放大器:MOS、BJT和ATD(第1部分)
第128讲:差分放大器:MOS、BJT和ATD(第2部分)
第129讲:带有源负载的差分放大器。差分到单端转换
第142讲:一阶系统中的零_极点、阶跃响应、下冲和过冲
第144讲:零值时间和转移常数(ZVT),b1和a1项计算
第145讲:使用ZVT的带宽估计,高频放大器设计示例
第151讲:TTC示例、二阶系统、品质因数和固有频率
第152讲:TTC示例,负电阻,振荡器,RLC电路
第153讲:使用TTC的基本放大器级(CS、CE、CD、CC、CG、CB)的高频行为
第154讲:不耦合的时间常数、独立的极点和零点、可观测的动力学
第155讲:低截止频率估计,无限值时间常数(IVT)
第156讲:离散变量与积分变量的低截止估计,以IVT为例
第158讲:反馈:渐近传递函数,一阶分析,快速设计
第159讲:反馈动态、正向和反馈路径频率效应、反馈灵敏度降低
第162讲:主动反馈、双反馈回路、回报率的源依赖性示例
第163讲:反馈下的端口阻抗,Blackman公式
第167讲:稳定性准则:劳斯-赫尔维茨,奈奎斯特导数
第170讲:反馈放大器补偿,一阶、二阶和三阶系统总图