第2a讲:摩尔定律的未来:3nm、2nm、1nm节点将使用什么?
第3b讲:CMOS 反相器特性、环形振荡器、功耗延迟积、能量延迟积
第4a2讲:为什么选择鳍式场效应晶体管(FinFET)和绝缘体上硅(SOI)?短沟道效应
第4b讲:基本二极管器件物理 —— 结电容、耗尽层
第5a讲:如何估算大信号摆幅下 MOSFET pn 结的电容?
第5c讲:为什么晶体管被称为晶体管;如何识别源极与漏极
第6a讲:由于速度饱和导致的漏极电流饱和 (Id-Vd, Id-Vg)
第6b讲:考虑速度饱和效应的 Id-Vd 统一模型
第6d讲:一个 MOSFET 包含多少个电容,以及如何对其进行建模
第10a讲:CMOS 反相器输入高电平 VIH 与输入低电平 VIL 的确定
第10b讲:CMOS 反相器在开关阈值 VM 处的增益与对称电压传输特性的晶体管尺寸设计
第11a讲:CMOS 反相器的电容动态特性与密勒电容
第11b讲:CMOS 反相器的传输延迟(t_PHL、t_PLH)
第11c讲:CMOS 反相器的 PMOS 与 NMOS 电阻比
第12b讲:晶体管尺寸优化以实现最小逆变器延迟的理论
第14c讲:CMOS 中上拉网络(PUN)与下拉网络(PDN)的构建
第15c讲:复杂逻辑电路的延迟及固有延迟(p 值)
第20a讲:各类加法器的对数超前进位加法器及时序分析
第22c讲:基于多路选择器的锁存器、传输门与传输管
第23b讲:时钟负载、非重叠时钟、时钟控制 SR 触发器
第24a讲:避免时钟重叠问题:时钟控制型 CMOS 寄存器
第26a讲:在满足延迟要求的前提下,优化缓冲器尺寸以实现最低功耗
第26c讲:静态随机存取存储器块、存储单元及读操作
第27b讲:静态随机存取存储器(SRAM)敏感放大器、行 列解码器、SRAM 时序、布局
第28讲:静态噪声容限(SNM)、SRAM 的保持噪声容限与读取噪声容限